第一，在2015年实现量产65nm、突破193nm液浸镜头的光刻目标，实现华芯国际28nmHKMG量产、国产设备占比15%的芯片制造目标；
第二，在2018年实现试产28nm、储备极紫外光学技术的光刻目标，实现建立完整28nm产线、国产设备占比35%的芯片制造目标；
第三，在2025年实现极紫外光原型机发布的光刻目标，实现，14nmFi风险量产的芯片制造目标。
至此，这份文件正文内容结束。
接下来便是由3页A4纸组成的附件。
其中内容，则是战投部在咨询过星火研究院两位新加入的芯片领域院士级大佬之后，给出的不成熟建议。
比如在深紫外光浸没式光刻领域，或许能尝试开发振动补偿新架构，以绕开LMSA在浸没控制和双工件台的核心专利；
又比如在极紫外光浸没式光刻领域，或许能尝试放弃传统激光等离子体LPP，尝试探索自由电子激光FEL或放电等离子体DPP路线，以避开Cymer专利壁垒；
还比如布局下一代光刻技术，如纳米压印NIL和电子束直写MEB。
看完附件的内容，王诩放下文件，捏了捏眉心。
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