搞个10微米~100微米的光刻，就想着把浸润光刻、多重曝光、EUV光源这些弄上来无疑是吃饱了撑着了。
且不说这些美滋滋的配套厂所，高振东自己，正在和厂里的一堆八级工研究工件台的事情，虽然不搞多重曝光，但是套刻还是需要的，工件台的定位精度还是要考虑。
套刻，就是把多个图形分多次刻到同一工件上，形成一个完整的图形。
如果只是刻一次，那倒不需要管套刻精度，只要保证光的投射范围都在晶圆上以及光投影精度即可，可是在集成电路工艺里，是要分很多次光刻，来形成不同结构，而且这些结构之间又有电路连接，所以套刻精度还是要保证的。
至于双工件台，就先扔一边了，一个工件台还没搞利索呢，想那么多是给自己找麻烦。
“高总，你这个东西的定位精度要半丝？”一群老八级工有点嘬牙。
1丝，从机加工的角度，等于10微米，半丝，5微米。
高振东点点头：“嗯，先不考虑移动定位精度，就考虑两个工件固定时定位的相对精度就可以。”
如果微缩投影还没搞通的话，那移动定位精度就意义不大，因为不需要在晶圆上一个芯片一个芯片的刻，而是一次性投影出整个晶圆的图像，这种情况下，哪怕套刻，主要考虑的也就是模版、晶圆固定时的相对位置精度了。
之所以一开始都是搞的接触式或者接近式光刻机，这就是原因，技术简单得多啊。
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