其实小数点后一位就够了，那个没有写出来的单位，是μm。
2μm！
虽然早有所料，但是当这个数字跳出来的时候，高振东还是哈哈大笑了起来。
“哈哈哈……好！太好了！”
这个套刻精度，已经超出了当前所需，PMOS套刻次数少，其实不严格的说，10μm的分辨率下，5μm的套刻精度都是够用的。
现在，高振东可以直接宣布，我们的第一代PMOS工艺集成电路，线宽是10μm。
这个线宽听起来不咋样，但是举个例子就知道它的用处了，DJS-59的原型，那片金色的C8008，它的工艺就是10μm-PMOS！那一小片芯片上，晶体管数量是6000+。
而首个4Kbit（512Byte）的DRAM，工艺是8μm-NMOS，虽然是NMOS，但是并不意味着只有NMOS才能用于和NMOS的最大区别是开关方向相反，而且NMOS开关速度比PMOS要快2.5倍左右。
但是这是61年，PMOS慢点又不是不能用。
可惜那两片芯片出现的时候，高振东还没法锁定兑换的能力，但是这没有关系，还是那句话，行业初期，主打一个简单凑合能用就行，设计的核心难度不大。
DJS-59的晶体管的电路，其实基本上和C8008内是一模一样的，现在高振东要做的，就是把这个结构还原到光刻掩模上去。
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