而且它也是多个相同的微结构并联的，其并联的数量，比GTO还大！
如果说GTO的阴极是上千个相同结构并联的话，那MOSFET一个器件里的并联数量可以达到上万。
如果高振东没搞定光刻机的事情，那MOSFET即使研究出来，量产就会非常麻烦。
“这都要用到微电子技术了，我回去得把院里去年分来的两个搞过SZ61的年轻同志要过来才行，要不没法搞。”李主任看着这个结构，喃喃自语。
此时，去年高振东在61号教室播下的种子，已经开始到处生根发芽。这两名同志，就是十二机部从京城工大抢过来的那批种子之一。
高振东笑道：“你们把这个管子搞好了的话，等环境合适了，就能接着搞一种新器件，不过现在还早，先不想那个。”
很有意思的事情，MOSFET和IGBT的结构很像，高振东考虑得非常远，现在没资源搞IGBT，等过几年可就不一定，现在暂时GTO和MOSFET够用了。
和GTO一样，花了大半天时间，高振东把MOSFET的相关内容给1218和十六室的同志做了详细的传授。
这东西高振东上辈子学过，考试成绩还不错，在网上和别人因为高铁的事情对喷的时候，又查找了不少相关资料。
技术型喷子，恐怖如斯。
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