虽然不知道有多少单位在搞，但是对于电力电子器件的发展过程高振东还是知道的，他准备搞的几个器件，在这年头都还没有诞生。
这几个器件，也是高振东花了一点时间，在众多电力电子器件中挑出来的，毕竟精力和资源有限，他不可能什么都搞，所以他想尽办法，多方权衡，挑选了这几种出来。
挑选的标准也很简单，要能尽力涵盖尽可能多的应用场景，而且成果的生命周期要尽可能的长，每类器件，要用几十年都不过时的那种，而且技术要求不能太高，能符合当前的技术环境。
这工作，可把高振东给折腾够呛，哪怕他当年电力电子考得很不错，但是重新回忆起各种器件的特性、使用范围、生命周期、技术难度，并进行综合比较，还是让他花了至少一天时间！
一天呐！
作为仅仅是分析对比来说，对于高振东已经是花了大本钱了。
抛开太过遥远，要求过高的MCT、SIT、SITH、IGBT、IPM、IEGT、VDMOS这些货不说，就只是比较近的ASCR（不对称晶闸管）、TRIAC（双向晶闸管）、RCT（逆导晶闸管）、纯SCR（可控硅）、GTO（可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）这些，就让他废了不少的功夫。
不过有个货比较特殊，本来这东西出现是比较晚的，但是架不住高振东实在喜欢，而且用于小功率和高频率非常好用，恰好，高振东这个挂逼又为这东西的诞生创造了一定的条件，所以被他提前选出来了。
还好，最终总算是选了几种器件准备搞。至于其他的，应该有人在做，高振东就不去影响了，最多是必要的时候，帮点忙。
听见高振东说搞新元件，潘厂长、崔总工都激动起来，高总工说新的东西，那必然就是新的。搞仿制差点儿意思，跟着高总工搞新东西才是王道。
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